SP6649DF
是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。
SP6649DF是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。
SP6649DF在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。
SP6649DF內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP），過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），VDD過(guò)壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)溫保護(hù)（OTP）等，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控制。
SP6649DF采用SOP8封裝。
● 全電壓范圍輸入時(shí)待機(jī)功耗小于75mW
● 內(nèi)置650V高壓功率管
● 軟啟動(dòng)可用來(lái)減少M(fèi)OSFET上Vds的應(yīng)力
● 抖頻功能，改善EMI性能
● 跳頻模式，改善輕載效率，減小待機(jī)功耗
● 無(wú)噪聲工作
● 固定65KHz開(kāi)關(guān)頻率
● 內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
● 低啟動(dòng)電流，低工作電流
● 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
● 過(guò)載保護(hù)（OLP），逐周期限流保護(hù)（OCP）
● VDD過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），欠壓保護(hù)（UVLO），VDD電壓箝位，過(guò)溫保護(hù)（OTP）
● 充電器
● PDA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)電源適配器
● 機(jī)頂盒電源
